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心理學記憶考點詳解

編輯: 路逍遙 關(guān)鍵詞: 記憶術(shù)原理 來源: 逍遙右腦記憶
短時記憶:是當前一刻能夠意識到的記憶,包括工作記憶和直接記憶。記憶容量為 7±2 個組塊記憶是在頭腦中積累和保存?zhèn)體經(jīng)驗的心理過程,也就是對輸入信息的編碼、存儲和提取的過程。

瞬時記憶:當客觀刺激停止作用后,感覺信息在一個極短的時間內(nèi)保存下來,這就是長時記憶;內(nèi)隱記憶;外顯記憶

記憶的生物學基礎(chǔ)
均勢說;定位說;SPI理論
反響回路:指神經(jīng)系統(tǒng)中皮層和皮層下組織之間存在的某種閉合的神經(jīng)環(huán)路。

遺忘與記憶的保持
遺忘是指識記過的東西,不能再認或回憶,或錯誤的再認或回憶。記憶的內(nèi)容不能保持或者提取時有困難。
艾賓浩斯遺忘曲線(2005,簡,2) :他用無意義音節(jié)為材料,證明:遺忘是一個先快后慢的過程。
引起遺忘的原因(2002,簡,2) :由抑制或干擾引起遺忘、有壓抑造成的遺忘、由衰退引起遺忘、由線索提取引起的遺忘、由腦損傷引起的遺忘

進行有效的復(fù)習,提高記憶效率(2007,論,1):
1)及時復(fù)習
2)正確地分配復(fù)習時間
3)反復(fù)閱讀和試圖回憶相結(jié)合
4)注意排除前后材料的相互影響
5)利用外部記憶手段

內(nèi)隱記憶
內(nèi)隱記憶與外顯記憶的關(guān)系(2004,簡,3)
1)加工深度因素的影響不同,被試的內(nèi)隱記憶并未受到作業(yè)任務(wù)類型的影響,而外顯記憶則明顯受到了影響
2)保持時間不同
3)記憶負荷量的變化產(chǎn)生的影響不同
4)呈現(xiàn)的方式的影響不同
5)干擾因素的影響不同

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